Neuer GaAs E-pHEMT low noise amplifier von ASB

 

AHL5216T8 low noise amplifier
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AHL5216T8 low noise amplifier

 

Die Amplifier-Spezialisten von ASB haben einen weiteren neuen Baustein im Portfolio, mit dessen Hilfe Sie Ihre Applikation optimieren können. Der AHL5216T8 low noise amplifier verfügt über eine besonders hohe Linearität bei niedrigem Gleichstromverbrauch und sehr rauscharmen Verhalten. Außerdem sorgt sein aktiver bias circuit für eine stabile Stromversorgung, sowohl bei wechselnden Temperaturen als auch sich ändernden Prozessvarianten. Darüber hinaus verfügt der AHL5216T8 low noise amplifier über eine  Netzabschaltungskontrollfunktion und wurde diversen strengen DC- und RF-Ausfallsicherheitstests unterzogen. Dank seiner mittleren Betriebsdauer (bis zum ersten Ausfall) von über 100 Jahren ist der Verstärker ein extrem zuverlässiges Bauteil für aktive Antennen, als low noise amplifier für L-Band-Applikationen und in anderen Anwendungen, die niedriges Rauschverhalten verlangen.

 

Features des AHL5216T8:

 

  • Gain decreases from 21 dB to 13 dB at 1.2~3.0 GHz (20 dB at 1.5 GHz)
  • NF of 0.30~0.55 dB at 1.2~3.0 GHz (0.31 dB @ 1.5 GHz)
  • 36.0 dBm OIP3 at 1.5 GHz
  • 20.5 dBm P1dB at 1.5 GHz
  • Integrated LNA on/off Control
  • MTTF > 100 Years
  • Single Supply: +5 V
  • TDFN8 package available

Weitere Informationen erhalten Sie auch im Datenblatt des AHL5216T8 und direkt bei CompoTEK, wir beraten Sie gerne persönlich.